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Módulos IGBT/MOSFET

O transistor MOSFET é o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. O MOSFET é composto de óxido metálico e, normalmente, utilizado em caixas amplificadoras, computadores, rádios, entre outros equipamentos eletrônicos.
O terminal de comporta deste dispositivo é constituído por uma camada de silício policristalino colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal original abaixo dele.
O canal invertido cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar. Variando-se a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

Módulo IGBT SK 13 GD 063

Módulo IGBT SK 50 MLI 066

Módulo IGBT SK 10 GD 126 ET

Módulo IGBT SK 20 DGDL 065 ET

Módulo IGBT SK 20 GD 066 ET

Módulo IGBT SK 25 GH 12T4